有关薄膜晶体管方向的研究可追溯世纪初叶，场效应晶体管的概念及初步定义于1925年提出，并在1930年申请该项知识产权。

  在1940年代，贝尔实验室成立了一个半导体研究小组，该研究小组工作领域的其中一项就是探索半导体以及与半导体有关的技术，例如制备可调节半导体通道中电流的器件。

  1947年，贝尔半导体研究小组成员巴丁和布列坦两人在实验室内成功制备出了点接触型晶体管，一种用于放大电信号的半导体放大器。之后，肖克利于1948年初在巴丁和布列坦的研究基础上发明了双极性晶体管和结型场效应晶体管。三位研究人员因其在半导体领域的突出贡献，于1956年被授予诺贝尔物理学奖。

  因为受到当时薄膜晶体管制备工艺的限制，无线电公司实验室在1962年使用多晶CdS薄膜作为沟道层成功制备了一个真正的薄膜晶体管，Weimer制备的TFT器件结构为顶栅底接触，选择用SiO2材料作为TFT绝缘层，Au作为栅极和源、漏电极，以玻璃为基底。

  1968年，RCA实验室的乔治·海尔迈耶成功研发了世界上一块液晶面板，但该液晶面板仍存在部分较为严重的问题，尚无法直接投入显示器领域。此时，控制面板上使用的显示方法是电极交叉阵列显示，改变一个像素会影响其他相邻单元，从而导致图像失真扭曲。

  1971年，为了有用解决这一技术难题，先次尝试将TFT与LCD相结合，该实验从寻址电路的复杂性，显示器的寿命和功耗方面入手，使用2×18液晶显示矩阵来测试，点矩阵显示电路的电极的交叉点连接到非线性电路，该结构由薄膜晶体管和电容器单元组成，并且除了起到开关的作用外，还可以保持像素单元的电压。提高了液晶面板图像的显示质量。从那时起，TFT显示出其真正的商业实用价值。

  紧接着在20世纪70年代初，日声宝公司研制生产的一款全新的电子计算器先次采用了上述液晶显示面板，鼓舞了研究人员对TFT的研究热情，自此TFT的研究正式步入高潮阶段。